据悉，1200V 1040A SiC功率模块采用双面烧结工艺，具备更出色的工艺优势和可靠性。
芯片下表面烧结工艺，连接层导热率与可靠性提高：
SiC MOSFET芯片下表面采用烧结工艺，相比传统焊接工艺模块，连接层导热率最大可提升10倍，可靠性更是可提升5倍以上。
芯片上表面烧结工艺，提升模块工作结温：
芯片上表面采用烧结工艺，因烧结层具有的高耐温特性，SiC 模块工作结温可提升至175℃，试验证明，其可靠性是传统工艺的4倍以上。
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