全球IGBT市场格局主要由英飞凌、安森美、意法半导体、富士电机、三菱电机等海外功率半导体厂商主导，尤其在中高端市场。在缺芯潮影响下，国产IGBT产品进入国内客户的机会涌现。
无论从供需关系还是价格预期看，IGBT赛道背后均有较大增量空间。中信证券认为，2025年全球IGBT市场规模有望达954亿元、2020-2025年复合增速为16%。而国内IGBT市场规模达458亿元、2020-2025年复合增速达21%。该机构也认为，供需失衡将会贯穿全年，海外厂商扩产普遍谨慎、产能增量有限，看好新能源驱动IGBT需求快速增长，自产化率快速提升。
1、士兰微（600460.SH）： 7月29日发布公告称，公司子公司士兰明镓已启动化合物半导体第二期建设，即实施“SiC功率器件生产线建设项目”。士兰明镓将建设一条6英寸SiC功率器件芯片生产线，项目总投资为15亿元，建设周期3年，最终形成年产14.4万片6英寸SiC功率器件芯片的产能。在2021年底，士兰明镓已完成第一期20亿元的投资，并形成了每月7.2万片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的产能，其产品在小间距显示、MiniLED显示屏、红外光耦、安防监控、车用LED等领域得到广泛应用。
2、时代电气（688187.SH）：近期也宣布拟投入4.62亿升级碳化硅产线。项目建成达产后，将把该公司现有的平面栅碳化硅MOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅碳化硅MOSFET芯片研发能力，现有4英寸碳化硅芯片线将提升到6英寸碳化硅芯片线，产能也将从1万片/年提升到2.5万片/年。目前，该公司IGBT一期设计年产能12万片；IGBT二期产线，设计年产能24万片，自2021年年底正式投产以来，今年初开始增产爬坡。
3、振华科技（000733.SZ）：今年4月宣布拟募资25.18亿元，投向半导体功率器件产能提升项目等。据悉，半导体功率器件产能提升项目将建设一条12万片/年产能的6英寸硅基/碳化硅基功率器件制造线。净利润预计11.8亿-13.3亿元，同比也增长128.96%-158.06%。
4、斯达半导（603290.SH）：积极布局SiC，产品与产线进展顺利，有望成为重要增长来源。上半年净利润3.4-3.5亿元，同比增长120.8%-127.29%。
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